搜索结果: 1-11 共查到“物理学 1.3GHz”相关记录11条 . 查询时间(0.078 秒)
2023年6月8日,中国科学院大连光源科学研究室(二十五室)杨学明院士团队与中国科学院高能物理研究所(简称“高能所”)联合完成了我国首台高品质因数1.3GHz超导加速模组的研制、总装和整体调试,这标志着大连先进光源预研项目研制工作攻克了又一项关键核心技术。
大连先进光源预研中的关键核心设备-高品质因数1.3GHz超导加速模组研制成功(图)
光源 超导加速模 超导磁体技术 高能
2023/6/15
2023年6月8日,中国科学院大连化学物理研究所大连光源科学研究室(二十五室)杨学明院士团队与中国科学院高能物理研究所(以下简称“高能所”)潘卫民研究员领导的团队合作,研制成功我国首台高品质因数1.3GHz超导加速模组,标志着大连先进光源预研项目研制工作攻克了又一项关键核心技术。
大连先进光源预研1.3GHz超导加速模组研制项目启动会召开(图)
1.3GHz超导 加速模组 项目 启动会
2021/3/3
2021年2月26日,大连先进光源预研1.3GHz超导加速模组研制项目启动会在中科院高能物理研究所(以下简称“高能所”)召开。我所杨学明院士,高能所所长王贻芳院士、加速器中心主任潘卫民研究员,以及项目组成员等40余人参加了会议。会议由高能所加速器中心副主任葛锐主持。会上,潘卫民介绍了合作项目的背景、研制内容、技术指标及组织实施计划等。他表示,该项目时间紧、难度大,项目组将全力以赴、通力合作,共同确...
持续发力——1.3GHz 9-cell超导腔研发再上新台阶
持续发力 1.3GHz 9-cell 超导腔
2020/8/18
2020年7月24日、30日,中科院高能所两只带端腔组件的1.3GHz 9-cell细晶粒超导腔经2K温度下测试显示:加速梯度分别达到32.8MV/m和32.6MV/m,其品质因子Q0在30MV/m下均超过1×1010。这一测试结果是我国目前完全自主研发的细晶粒1.3 GHz 9-cell超导腔的最好结果,它实现了国内细晶粒超导腔指标跨越性进步,并与国际直线对撞机(ILC)超导腔指标35±20% ...
近日,近代物理所直线加速器中心的工程技术人员在新建设的2K低温测试平台上对自主研发的1.3GHz单cell铜铌复合超导腔成功进行了低温性能测试。2K低温测试系统稳定运行极限温度达到1.3K。超导腔体品质因数(Q0)达到约1.0E10、最大表面电场达到约50MV/m、机械稳定性相对于同类型纯铌超导腔提高了约6倍。
近日,中科院高能所研制的多个1.3GHz超导腔取得最高45.6MV/m、平均43MV/m的高加速梯度,这一进展的取得标志着我国超导腔研发、制造和后处理工艺及配套设施已达到国际领先水平。由高能所团队研制完成的六只细晶粒纯铌1.3GHz单cell超导腔,2K垂直测试加速梯度均达到或超过了40MV/m。其中,S004腔最高加速梯度45.6MV/m,已接近TESLA型纯铌腔的理论极限;且S018腔在43M...
高性能1.3GHz超导腔研究取得重要进展(图)
高性能 1.3GHz 超导腔
2021/9/8
高性能1.3GHz超导腔研究取得的重要进展是射频超导与低温研究中心在高性能超导腔研发、加工、焊接、表面处理(深度电抛光、特殊低温烘烤工艺)、低温测试和缺陷诊断(高分辨率光学检查及失超位置探测)等方面长期一步步地探索和优化的结果,团队成员日夜攻关和不懈努力,为下一步高梯度和高品质因数1.3GHz 9-cell超导腔及其它频段高性能超导腔的研制奠定了稳固而极为重要的基础。
1.3GHz超导腔研发获新进展(图)
1.3GHz 超导腔研发
2019/1/5
在北京先进光源技术研发与测试平台(PAPS)与上海硬X射线自由电子激光装置(SHINE)的关键样机研制中,中国科学院高能物理研究所在高性能(高Q值、高梯度)超导腔的研发上持续攻关。经过深入细致优化超导腔的加工工艺及流程和制造环节、完善超导腔表面处理及测试技术,在2018年年末之际,1.3GHz 9-cell超导腔(细晶串腔)及1.3GHz 1-cell超导腔(细晶单腔)的研制再获新进展。
“大型对撞机1.3GHz超导加速器研制”项目通过验收(图)
大型对撞机 1.3GHz超导 加速器研制
2018/9/21
2018年9月12日,北京市科学技术委员会组织专家对中国科学院高能物理研究所承担的“大型对撞机(ILC及CEPC)1.3GHz超导加速器研制”项目进行结题验收。高能所研究员高杰作为项目负责人代表项目组对项目开展情况及研制结果进行汇报,专家组在听取了项目组工作报告、技术报告,审阅了财务审计报告,并就有关问题进行了质询后,认为该项目圆满完成任务书规定的各项内容,达到了任务书所确定的任务指标,项目验收文...
报道了一个新设计的单胞腔,其表面电场峰值与加速梯度之比值Ep/Eacc小于1.8.把它做为9胞腔的半端胞时,其中间胞π模的Ep/Eacc可以低到2.024,胞-胞间耦合系数k可高达1.95%.并用阻带模型计算了单胞腔的高次模特性;阐述了超导驻波腔腔形的概念、腔几何参数定义、腔胞和束管设计原则、加速模和高次模计算方法,并讨论了程序计算的可靠性条件.