搜索结果: 1-15 共查到“半导体技术”相关记录5005条 . 查询时间(2.234 秒)
中国科学院微电子所28nm 嵌入式RRAM IP赋能先进显示芯片在京量产
电子 半导体 集成电路
2024/11/7
当前,Flash遇到制程微缩瓶颈,大规模量产停滞在40nm。微电子所刘明院士团队推出创新突破性的28nm嵌入式RRAM IP,成功应用于全球首款28nm先进显示芯片并实现量产。
2024年11月6日,北京经济技术开发区(北京亦庄)显示高技术企业宣布全球首款应用28nm RRAM IP 的28nm先进工艺SoC高端显示芯片在京完成量产,并成功应用于国内头部客户的Mini LED(次毫米发光二极管)...
中国科学院合肥物质科学研究院SHMFF用户在高迁移率二维半导体中观测到分数量子霍尔效应(图)
二维半导体 观测 量子
2024/11/11
2024年11月4日,稳态强磁场实验装置(SHMFF)用户辽宁材料实验室和山西大学等合作者利用SHMFF所属水冷磁体WM5,在二硫化钼的n型半导体场效应晶体管低温欧姆接触稳定可靠制备方面取得了新进展,该成果在线发表于Nature Electronics。
中国科学院半导体所提出免于退极化效应的光学声子软化新理论(图)
半导体 光学 声子 理论
2024/11/7
通过晶体管持续小型化提升集成度的摩尔定律已接近物理极限,主要瓶颈是晶体管功耗难以等比例降低。进一步降低功耗有两个主要途径:其一是寻找拥有比HfO2 更高介电常数和更大带隙的新型高k氧化物介电材料,确保不降低栅控能力的前提下增厚栅介电层,遏制量子隧穿效应引起的栅极漏电流;另一个是采用铁电/电介质栅堆叠的负电容晶体管(NCFET),突破传统晶体管室温60 mV/dec的亚阈值摆幅限制,进而...
分子内非共价相互作用能够锁定平面构象,显著提升共轭骨架的共平面性和刚性,进而增强载流子的迁移率。这一特性已在有机太阳能电池、有机光电探测器及有机场效应晶体管等多个领域得到广泛应用,并逐渐成为设计高性能有机/高分子半导体材料的关键策略之一。然而迄今为止,尚未有可靠的方法能够直接表征薄膜体系中分子内非共价相互作用和相应构象的存在。
人工智能视觉芯片(图)
人工智能 视觉芯片
2024/10/29
一种热电器件测试系统及方法(图)
热电器件 测试系统
2024/10/29
现场总线集成电路设计技术转化(图)
现场总线 集成电路 技术转化
2024/10/29
中国科学院物理研究所二维半导体Cr8Se12的合成和类笼目能带的实验观测(图)
二维半导体 合成 观测
2024/11/4
材料的电子结构受其几何结构和材料维度的影响。一些具有特殊几何构型的晶格,如笼目晶格、Lieb晶格、着色三角晶格等,具有电子阻挫效应产生的无色散的能带,即平带,其中存在丰富的电子关联效应。最近,人们在三维笼目金属中已经观察到多种关联电子态,例如巨大的反常霍尔效应、量子自旋液体、手性电荷密度波和非常规超导等。另一方面,与半导体工业中常用的三维半导体相比,二维半导体由于良好的开关性能和更强的库仑相互作用...
南方科技大学深港微电子学院方小虎课题组在TMTT杂志发表2项新研究成果(图)
方小虎 TMTT杂志 毫米波 放大器
2024/10/24
大连市半导体行业协会
大连市 半导体 行业协会
2024/10/23
大连市半导体行业协会成立于2007年3月,由大连地区从事半导体科研、教育、设计、制造、封装、配套及产业服务等企事业单位自愿组成的地方性、行业性、非营利性的社会组织。大连市半导体行业协会是东北地区第一家半导体行业协会,协会共有会员单位60多家。