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2024年10月18-19日,第七届微波与微系统国际研讨会在天津圆满召开。本次研讨会由天津滨海高新区管委会、天津国家芯火双创平台、天津市集成电路行业协会、天津市成像与感知微电子技术重点实验室共同承办。
随着电子器件朝着短、小、轻、薄,且功能更多、集成度更高的方向发展,电子封装在半导体产业中的重要性显得愈发突出。半导体激光加工设备是半导体封测环节的重要设备,可用于封测环节的划片、打标和解键合工序。目前,随着AI芯片等终端应用的不断发展,后摩尔时代先进封装的技术突破,国家对半导体设备的大力支持和半导体设备国产替代浪潮的不断推进,应用于封测环节的关键设备——半导体激光加工设备正逐渐走向舞台中央。
2024年7月11日,凝聚“芯”动能,共筑“芯”高地——广东中科半导体微纳制造技术研究院(以下简称“广东微纳院”)半导体微纳加工中试平台通线暨项目签约仪式在佛山南海举行。会上,广东微纳院半导体微纳加工中试平台通线,二期产业孵化区正式封顶,一批半导体项目现场签约,为佛山半导体产业发展注入“芯”动能。本次中试平台通线是广东微纳院发展的重要里程碑,标志着研究院迈出以中试服务产业、集聚产业、跃升产业的关键...
集微网消息,天眼查信息显示,武汉新芯集成电路制造有限公司近日取得一项名为“晶圆键合方法及晶圆键合设备”的专利,授权公告号CN113299544B ,授权公告日为2024年02月27日,申请日为2021年5月25日。
中国科学院高能物理研究所专利:一种在硅衬底表面涂覆光刻胶的方法
中国科学院高能物理研究所专利:一种用于LIGA技术的光刻胶膜与基片的复合结构的制备方法
2023年7月31日,集成电路特色工艺及封装测试制造业创新中心能力建设项目验收会在华进半导体封装先导技术研发中心有限公司举行。中国工程院院士干勇,中国工程院院士许居衍,工业和信息化部科技司副司长、一级巡视员范书建,江苏省工业和信息化厅副厅长张星等专家领导出席项目验收会。
中国科学院微电子研究所专利:硅腐蚀局部终止层制作方法
中国科学院微电子研究所专利:可调节沟道应力的器件与方法
中国科学院微电子研究所专利:一种化学机械平坦化的方法
中国科学院微电子研究所专利:一种SERS基底及其制备方法
中国科学院微电子研究所专利:高K栅介质/金属栅叠层栅结构刻蚀后聚合物去除方法
中国科学院微电子研究所专利:IGBT芯片及其制作方法
中国科学院微电子研究所专利:化学机械研磨去除率计算的方法及设备
中国科学院微电子研究所专利:一种传输线自动阻抗匹配系统

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