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超低介电常数介孔氧化硅薄膜的制备及其表征（Synthesis of Mesoporous Thin Silica Films with Ultra Low Dielectric Constant）
TEOS蒸汽 甲基化 介孔氧化硅薄膜 超低介电常数
2010/8/24
研究了以正硅酸乙酯(TEOS)和甲基三乙氧基硅烷(MeSi(OEt)3)为混合硅源，十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂，采取旋涂技术，在硅晶片表面制备出二氧化硅透明薄膜，再经过正硅酸乙酯(TEOS)蒸汽孔壁强化后采用线性升温焙烧法脱除薄膜孔道内的模板剂，制备出具有超低介电性能的氧化硅薄膜。使用FTIR、XRD和SEM对样品进行了结构表征，并采用阻抗分析仪测量了薄膜的介电常数(k)，纳米硬度计...
KIT-1介孔分子筛的化学修饰及吸附性能（Chemical Modification and Adsorption of the Pure Silica Mesoporous Molecular Sieve KIT-1 ）
介孔分子筛 KIT-1 化学修饰 吸附容量 水热稳定性
2010/8/25
The pure silica mesoporous molecular sieve (KIT-1) was chemically modified using both organic and inorganic precursors and characterized using FTIR, XRD, MAS NMR, TG-DSC and physical adsorption-desorp...
疏水介孔二氧化硅膜的制备与表征（Preparation and Characterizaion of Hydrophobic Mesoporous Silica Membranes）
介孔氧化硅薄膜 孔结构 疏水性
2010/8/18
用甲基三乙氧基硅烷(MTES)代替部分正硅酸乙酯(TEOS)作为前驱体，以聚乙烯醚-聚丙烯醚-聚乙烯醚三嵌段共聚物(P123)作有机模板剂，通过共水解缩聚反应制备了甲基修饰的介孔SiO2膜。利用N2吸附、FTIR、29Si MAS NMR以及接触角测量仪对膜的孔结构和疏水性进行了表征。结果表明，修饰后的膜材料具有良好的介孔结构，最可几孔径为4.65 nm，孔体积为0.69 cm3·g-1，比表面积...