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溶液法制备CdZnTe晶体中Te夹杂相分析
碲锌镉 Te夹杂 位错 红外透过率
2013/12/4
利用红外(infrared, IR)显微镜、腐蚀坑形貌及傅里叶红外(Fourier transform infrared, FTIR)光谱仪观察研究溶液法制备CdZnTe晶体中的Te夹杂相. 讨论CdZnTe晶锭中Te夹杂相的分布和原因, 及其对晶体中位错密度(etch pit density, EPD) 和红外透过率的影响. 实验结果表明: 沿生长轴方向, Te 夹杂相密度增大, 相应的位错密度...
为实现高电阻CdZnTe半导体(简称CZT)接触电极与外引线的超声波焊接，采用正交实验法探讨CZT接触电极与引线超声波焊接质量的影响因素及其作用规律。结果表明：经机械抛光表面处理的CZT晶片，采用离子溅射法制备的金电极与外引线间具有较高的超声波焊合率，能获得最佳焊点质量的电极厚度为180 nm。此外，CZT接触电极制备工艺和楔入压力都是影响CZT接触电极与引线超声波焊接质量的主要因素，当CZT接触...
用于卫星探测X、γ射线的大灵敏面积CdZnTe探测器的研发
卫星探测 大面积CZT探测器
2008/12/16
CdZnTe(CZT)探测器不需要低温制冷就可在30～600keV较宽的能量范围内得到较好的空间和能量分辨,已成为研究宇宙空间X、γ射线场重要的探测器。本工作研究将4个甄别级10mm×10mm×5mmCZT平面探测器进行改制，并将其并联拼接成20mm×20mm×5mm较大面积的CZT探测器。经测试，大面积CZT探测器对125I、241Am、57Co、133Ba、137Cs具有较好的能量线性响应，...
坩埚内壁碳膜对Bridgman法生长CdZnTe晶体热应力的影响
CdZnTe 晶体生长 热应力场 数值模拟
2008/3/13
采用单晶位错研究的热弹性模型，计算模拟了垂直布里奇曼法碲锌镉单晶生长过程的应力场，研究了坩埚内壁碳膜的厚度对晶体内热应力的影响．计算结果表明：晶体边缘与坩埚内壁接触位置的热应力远大于晶体中心处的热应力，碳膜厚度的增加，可以显著地减小晶体边缘处的热应力，然而对晶体中心处的热应力影响较小；另外，晶体生长过程中存在两个高应力区，一是固-液界面以下附近的区域，在晶体与坩埚接触的位置出现最大值max1；另...