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分别采用 Cl2/Ar和SiCl4/Ar作为刻蚀气体对InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料进行ICP（Inductively Couple Plasma）刻蚀。结果表明，两种刻蚀气体的刻蚀深度与刻蚀时间都呈线性关系；在2 mTorr气压下，RF功率为50 W，SiCl4流量为3 sccm，Ar为9 sccm时，刻蚀速率为100 nm/min，且与材料的掺杂浓度无关。实验还表明，SiCl4/Ar...