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搜索结果: 1-1 共查到电子科学与技术其他学科 p-GaN相关记录1条 . 查询时间(0.184 秒)
在有效质量近似基础上,考虑强的内建电场效应,变分计算了纤锌矿结构的GaN柱形量子点中带电量为 的离子受主束缚激子(A?, X)的发光波长。结果表明,离子受主束缚激子发光波长强烈依赖于量子点的尺寸(高度和半径)、离子受主杂质的位置和垒中Al含量。随着量子点高度、半径及垒中Al含量的增加,离子受主束缚激子发光波长增大。随着离子受主杂质从量子点左边垒中沿z轴方向移至量子点左边界时,发光波长先增大,在量子...

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